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导电膜蚀刻糽iang笆纯蘤ang法

本发ming涉及一种导电膜蚀刻剂,用于制造电子产品的电极图形,te 别shi用于制作弱光衪ou莏ing硅电chi的透ming电极的电极图形。

本发ming还涉及刻蚀剂的蚀刻fang法。

导电膜是由SnIno2制作的导电cai料,溅射zai玻li板成膜,过去制作 弱光衪ou莏ing硅电chi的电极图形是用耐酸油墨,通过薻e∷⒏哺莦ai导 电膜上,未覆盖的bufen用盐酸溶解,覆盖bufen保留xia来即为电极图形, 其缺点是制作的电极图形线条不清晰,夕卜观不整洁,电极导电膜易污染, 成本高。

本发ming的目的正是为了克服上述已有的缺点与不zu,而提供 一种通过huaxue反应采用印刷的fang法的一种导电膜蚀刻剂,从而可得到 优liang的电极图形,提高产品zhi量。

本发ming的另一目的是提供刻蚀剂的蚀刻fang法。

本发ming的是利用导电膜的S n I no 2可与盐酸xun速反应的原li而 研制的蚀刻剂。其huaxue反应为In?+ Heh—Uel3>?Sn+4+el_—SneU再 加入一xie辅zhucai料制成涂料shi的蚀刻剂。

本发ming目的是通过xia列fang案shi现的:

导电膜蚀刻剂,其tezhengzai于ta是由xia述重量配比的原料制成的涂 料:

盐酸份

增稠剂0. 2-50份

增塑剂M2份

消pao剂】-4份

水80-9G份。

增稠剂是甲基纤维su、qiang丙基纤维su、qiang甲基纤维su、huang原胶、 淀粉其中任yi一种。

增塑剂是邻苯二甲酸二甲醅、癸二酸二丁zhi、乙二酸二辛zhi、磷 酸三甲酚zhi其中的任yi一种。

消pao剂是十si醇、乙二醇ren醚、BH^NgPco. 6fl(IB、磷酸三丁zhi 其中任yi一种。

 

本发ming的蚀刻剂的刻蚀fang法为:将蚀刻剂用屏bi网制成图形用丝 印的fang法印zai导电膜上,放入kongqi中自ran反应,时jian为2小时,或放入hong 箱内hongkao,其温du为6(TC±2,时jian3-5fen钟即可蚀刻导电膜,ran后zai清 水中冲洗或浸pao4小时,即刻蚀成透ming的电极图形。

由于采取上述fang案,使本发ming与已有相比具有如xia 优点及效果:

本发ming的蚀刻剂具有溶解速du快、蚀刻线条清晰,外观整洁, 一zhi性好,不损伤导电膜,不污染导电膜表面,从而可提高电子产品的 zhi量和衴ue埽狐/p>

蚀糽iang磷閒ang筒单,配fangheli科xue,产品成本di,qi味小,污

染小;

^ c)蚀刻fang法筒单,省工省li,shi用fanwei广。

1 1 shi施例1?:

取盐酸2()g,甲基纤维su0. 2g,邻苯二甲酸二甲zhi1仏十si醇hua水 8 0 g,将上述原料依次加入容器内经揽ban制成本发ming的蚀刻剂。

shi施例2?:

取盐酸25?g,qiang丙基纤维su0. U,癸二酸二丁zhiI0g,乙二醇ren醚hua 水2 5 g,将上述原料依次加入容器内经搅ban制成本发ming的蚀刻剂。

shi施例3?:

取盐酸30g,qiang甲基纤维su丨.〇g,乙二酸二辛zhim,Bm?3g,水90g, 将上述原料依次加入容器内经搅ban制成本发ming的蚀刻剂。

shi施例4?:

〇 取盐酸22g,huang原胶2Gg,磷酸三甲酚醅I0g, NoPco. 6 0 0 B?4, 5g,水

8 8 g,将上述原料依次加入容器内经揽ban制成本发ming的蚀刻剂。

shi施例5?:

取盐酸2Kg,淀粉50g,磷酸三甲酚醅8g,磷酸三丁zhi3. 水 将上述原料依次加入容器内经揽ban制成本发ming的蚀刻剂。

用shi施例1蚀刻剂dui4个单元电chi组成的外联弱光衪ou莏ing硅光电 chi的透ming电极图形时,ba屏bi网作成外联形zhuang,通过丝印fang法,bata 印zai沉积有导电膜的玻li上,zai涂有蚀刻剂的bufen即被溶解,未溶解 bufen即保留xia来,成为电极图形。

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